宝融国际有限公司

宝融公司（B&R）优势代理销售苏州锴威特半导体股份有限公司（CONVERT品牌）全系列平面MOS管、快恢复高压MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等产品。 Planar VDMOS 产品特点与技术优势 高可靠性，1000小时0失效 高温下低漏电，Idss小于10uA@150℃ 老化考核耐压变化小于5V EAS能力强 EMI指标裕度充裕 上机失效率低 FR VDMOS 产品特点与技术优势 集成快恢复体二极管 采用铂金重掺工艺制造 性能稳定，参数一致性好 的反向恢复电荷 应用领域 电机驱动 LLC拓扑等开关电源 逆变器 SJMOS 产品特点与技术优势 的损耗 高可靠性 易于应用 应用领域 适配器 UPS LCD&PDP TV PFC 太阳能 开关电源等 Trench MOS 通过采用进的沟槽栅工艺技术和的结构设计，锴威特实现了功率密度化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些的技术手段，MOSFET的FOM（Qg x Rdson）得以实现行业内的水平。 产品特点与技术优势 低FOM（ Qg x Rdson ） 高可靠性 具有低的栅极电荷 应用领域 UPS 逆变器 交流/直流电源的同步整流 电机驱动 开关电源等 碳化硅二极管 相较于硅基快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管具有极小的反向恢复时间及反向恢复电荷特性，有助于降低系统应用的功率损耗。由于碳化硅二极管的器件特性，不随结温提高而有所变化，对于系统应用可大幅降低传统快恢复二极管带来的电磁干扰问题，并提高系统的可靠性。 碳化硅MOSFET 碳化硅MOS管具备高频切换特性， 有助电力电子系统大幅缩减设计尺寸、提高功功率密度。相较于IGBT器件，碳化硅MOS管不产生拖尾电流，可有效改善开关损耗，提升系统效率。 Photo Triac(可控硅输出光电耦合器)： 可控硅输出光电耦合器将一颗红外GaAs光电二极管和光敏可控硅组合封装。处于安全考虑，弱电和强电间需要进行隔离处理，而又需要弱电对强电进行控制，而光电耦合器是一种非常适合应用于这种场合的器件。 可实现5000V绝缘耐压过零和非过零两种方式可选 应用领域 空调、洗衣机等家电 办公设备 工业设备 电磁阀控制 AC电机控制 固态继电器 Photo MOS(MOSFET输出光电耦合器)： 指在输入元件中采用LED，在输出元件中采用MOSFET的光电耦合器。和机械式继电器相比，大幅提高产品可靠性及寿命，并实现了小型化， 因此逐步取代机械继电器应用于各个领域。 应用领域 太阳能发电系统 蓄电池系统 测量仪器 OA设备 工业设备 医疗设备 固态继电器 FRED(超快恢复二极管)： 白金重掺少子寿命控制技术 Polyimide钝化结构 超快恢复时间 软恢复特性 正向压降优化 175C工作结温 应用领域 电机驱动续流二极管 PFC 逆变器 IGBT续流二极管测量仪器 开关电源 IGBT 产品特点与技术优势 采用的Trench FS技术 低饱和压降 低开关损耗 正温度系数易于并联 注：* 表示产品研发中 Ready RC IGBT 应用领域 交直流电机驱动 不间断电源 电磁炉 逆变器 开关电源等 Half Bridge Driver IC 产品概述 半桥驱动系列芯片内部集成电平转换电路，将低压控制信号转换为高压驱动信号，兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点。内置动态dv/dt噪声消除电路和的高压电平转换电路提供了出色的抗干扰能力，可适应恶劣环境。提供各种保护和驱动能力以及独立的高/低侧通道和单输入通道可供用户选择，广泛应用于电机驱动、开关电源等多种应用领域。 应用领域 交直流电机驱动 变频家电 智能家居、机器人 电动车 功率MOS/IGBT驱动 消费电子 60V单相半桥驱动芯片 产品概述 CSV5060 是一款可驱动和低端N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片，可用于同步降压和半桥/全桥拓扑中。悬浮电压的工作电压可以高达60V，工作频率可以达1MHz。 CSV5060 内部集成了逻辑输入信号处理电路、死区时间控制电路、使能控制电路、欠压锁死电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 应用领域 电机驱动器 半桥/全桥转换器 功率MOS驱动 消费电子 主要特性 高侧悬浮电压+60V 输出电流能力+5A/-5A 高侧/低侧独立的欠压保护 闭锁功能，防止上、下功率管同时导通 内置死区时间保护，死区时间可通过外部电阻调整 使能控制功能 输出与输入同向，低端输出与输入反向 DFN3x3-10L和MSOP10封装