产品详情 公司简介
RS10N65F是N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。
主要特点
VDS =650V,ID =10A
RDS(ON) <0.85Ω @ VGS = 10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
100%的UIS测试
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