抢先量产18纳米还不够?传三星DRAM明年迈15纳米
时间:2016-11-02 11:44:26 来源:中国通信网 阅读量:5196
三星电子智能手机吃闷棍,力拼内存事业救业绩!据传三星为了稳固龙头地位,将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM,对手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)远远落后,技术差距约为一年半。
BusinessKorea 31 日报导,半导体产业透露,三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM,准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时,该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重,目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说,明年三星 10 纳米等级 DRAM,将占整体 DRAM 生产的一半。
DRAMExchange 估计,当前三星 DRAM 生产以 20 纳米为主、占 82%,18 纳米仅占 12%。
三星制程微缩进展比原先预期更为快速,内存部门主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示,2020 年将量产 10 纳米等级 DRAM,如今看来,应该 2019 年初就能达成目标。
三星是 DRAM 霸主,IHS 数据显示,今年第二季三星的 DRAM 市占率高达 46.6%。对手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 纳米等级,要到明年第二季之后才会开始生产 18 纳米 DRAM,技术差距约在一年到一年半之间。
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